张喆

博士后

性别：男

出生年月：1993-02-24

毕业院校：中国科学院微电子研究所

学位：博士学位

所在单位：伟德源自英国始于1946

学科：集成电路科学与工程

办公地点：新主楼D303

Email：zhangzhe24@buaa.edu.cn

个人简历：

张喆，伟德源自英国始于1946伟德源自英国始于1946博士后。2017年-2024年为中国科学院微电子研究所工学博士，师从张紫辰研究员。2024年5月入选伟德源自英国始于1946“卓越百人计划”博士后项目。主要从事单晶材料激光划片和分片加工研究，以及多层材料多工艺复合划切工艺研究。发表成果包括SCI/EI学术论文十余篇；中国发明专利三十余项；获得2023年度工信部技术发明二等奖（R4）和2021年度仪器仪表学会技术发明一等奖（R4）。

代表性论文：

[1] Zhang Z, Wen Z, Shi H, et al. Dual Laser Beam Asynchronous Dicing of 4H-SiC Wafer[J]. Micromachines, 2021, 12(11): 1331.

[2] 张喆, 宋琦, 张昆鹏, 薛美, 侯煜, 张紫辰. 平顶飞秒激光开槽硅晶圆工艺仿真与实验研究[J]. 中国激光, 2023, 50(20): 2002202.

[3] Yue S⁺, Zhang Z⁺, Zhang K, et al. Design and Numerical Analysis of an Infrared Cassegrain Telescope Based on Reflective Metasurfaces[J]. Nanomaterials, 2021, 11(11): 2904.

[4] Li Y, Zhang Z, Song Q, et al. Surface micromorphology and nanostructures evolution in hybrid laser processes of slicing and polishing single crystal 4H-SiC [J]. Journal of materials science & technology, 2023,10.（Accepted ，In press）

[5] Song Q, Zhang Z, Xu Z, et al. Investigation on the Processing Quality of Nanosecond Laser Stealth Dicing for 4H-SiC Wafer[J]. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2023, 12(3): 033012.

[6] Wen Z, Zhang Z, Zhang K, et al. Large-Scale Wideband Light-Trapping Black Silicon Textured by Laser Inducing Assisted with Laser Cleaning in Ambient Air[J]. Nanomaterials, 2022, 12(10): 1772.

教育经历：

[1] 2017年9月──2024年1月，中国科学院微电子研究所，博士

[2] 2012年9月──2016年7月，东北师范大学，学士

研究方向：

[1] 激光微纳加工技术

[2] 先进封装技术