2020年1月16日，我院十分有幸邀请到了纳米计算可靠性领域的著名专家Mehdi Tahoori教授，在新主楼A908为我们作题为“自旋磁存储器的缺陷、故障、可靠性和成品率分析”的学术报告。我院多名师生参与了本次报告。
目前，基于自旋的磁性随机存储器，如自旋转移矩磁性随机存储器(STT-MRAM)和自旋轨道距磁性随机存储器(SOT-MRAM)，作为新兴非易失性存储器广泛应用于片上系统。它们具有高集成密度，可微缩性，与CMOS良好的兼容性等优点。但是，新的制造工艺带来的存储结构的可靠性问题，成为了当下纳米计算研究的重点之一。
在本次讲座中，Tahoori教授从基于自旋转移矩的磁性随机存储器(STT-MRAM)的制造工艺、材料、流程出发，深入浅出的讲述了MRAM新的缺陷和失效机制。他围绕自旋器件和电路的失效机理、成品率分析技术开发等方面，讲解了容错计算、错误可靠性建模及其缓解方法、可测性设计，为缺陷和故障建模、测试模式生成、可变性和可靠性分析提供框架。最后，Tahoori教授与现场师生进行了热烈的问题讨论和互动。
Mehdi Tahoori是德国卡尔斯鲁厄理工学院计算科学与工程研究所(ITEC)的全职教授。2000年，他获得伊朗谢里夫理工大学计算机工程学士学位，他于2002年和2003年分别获得斯坦福大学电气工程硕士和博士学位。他拥有多项国际专利，在主要期刊和会议上发表了250余篇论文。Tahoori教授曾担任超大规模集成电路领域会议和专题讨论会的分会主席以及大会主席。参加会议包括ITC，VTS，DAC，ICCAD，DATE等。他目前担任Springer Journal of Electronic Testing (JETTA)的编委，IEEE Design and Test Magazine (D&T)的副主编，ACM JETC的副主编。他的研究课题包括纳米计算、可靠计算、超大规模集成电路测试等。
