应我院雷娜副教授邀请，中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究员于2019年12月4日下午，在我院作题为“高品质半导体自旋电子学材料及器件研究”的精彩报告。我院及其他学院相关领域师生近百人到场听取报告，现场座无虚席，讨论热烈，学术氛围浓厚。

赵建华研究员从半导体自旋电子学的研究背景出发，深入浅出地讲述了她的课题组在制备高品质半导体自旋电子学材料上的深厚积累及相关领域的最新研究进展。在报告中，赵建华研究员分别介绍了她在高居里温度磁性半导体、铁磁/半导体异质结与器件及强自旋-轨道耦合窄禁带半导体纳米异质结等自旋电子学材料、结构领域的研究进展。尤其是面对《Science》期刊公布的125个最具挑战性的科学问题之一：能否制造出室温下工作的磁性半导体，赵建华研究员团队走在国际的最前沿，目前仍然保持着磁性半导体材料居里温度的最高记录。  

赵建华研究员是中科院半导体所研究员，博士生导师。1999年中科院物理所博士，1999-2002年中科院半导体所、日本东北大学博士后，2003年至今中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室研究员，2015年至今中国科学院大学岗位教授。长期从事半导体自旋电子学及低维半导体量子材料与器件物理研究。发表文章230余篇。获黄昆固体物理与半导体物理奖、国家技术发明二等奖。973项目首席科学家、国际纯粹与应用物理学联合会（IUPAP）磁学专业委员会委员、国际磁学与磁性材料顾问委员会（MMM Adcom）委员、中科院半导体所学术委员会副主任。  

供稿人：蔺涛，雷娜